Lời nói đầu
Chương 1. Nhập môn công nghệ chế tạo mạch vi điện tử
1.1. Công nghệ vi điện tử qua một thí dụ đơn giản
1.2. Các công đoạn công nghệ chính khác
Chương 2. Vật liệu bán dẫn
2.1. Giản đồ pha và độ hòa tan rắn (độ hòa tan giới hạn) 
2.2. Tinh thể học và cấu trúc tinh thể
2.3. Khuyết tật tinh thể 
2.4. Phương pháp nuôi tinh thể Czochralski 
2.5. Nuôi cấy GaAs bằng phương pháp Bridgman
2.6. Kỹ thuật nóng chảy vùng (Float zone)
2.7. Chế tạo phiến và các đặc trưng của phiến
Chương 3. Khuếch tán
3.1. Phương trình khuếch tán Fick trường hợp một chiều
3.2. Các mô hình khuếch tán nguyên tử 
3.3. Nghiệm giải tích của định luật Fick
3.4. Các hiệu chỉnh cho lý thuyết đơn giản
3.5. Hệ số khuếch tán của các tạp chất thông dụng 
3.6. Profile khuếch tán (Phân bố nồng độ tạp)
3.7. Khuếch tán trong SiO₂
3.8. Các hệ khuếch tán
3.9. Chương trình mô phỏng profile khuếch tán SUPREM
Chương 4. Oxy hoá nhiệt
4.1. Mô hình oxy hoá Deal – Grove 
4.2. Hệ số tốc độ tuyến tính và parabol
4.3. Chế độ oxy hoá ban đầu
4.4. Cấu trúc của SiO₂
4.5. Đặc trưng oxide 
4.6. Hiệu ứng tạp chất trong quá trình oxy hoá
4.7. Thiết bị oxy hoá
4.8. Mô phỏng oxy hoá bằng SUPREM 
Chương 5. Cấy ion
5.1. Thiết bị cấy ion
5.2. Phân bố tạp chất
5.3. Cơ chế dừng ion
5.4. Hiệu ứng kênh (channeling) 
5.5. Hiệu ứng mất trật tự và ủ nhiệt
5.6. Các quá trình liên quan đến cấy ion
5.7. Profile tạp tính bằng SUPREM
Chương 6. Xử lý nhiệt nhanh
6.1. Bức xạ vật xám, trao đổi nhiệt và hấp thụ quang
6.2. Các nguồn quang học có cường độ cao 
6.3. Đo nhiệt độ 
6.4. Hoạt hóa tạp chất bằng xử lý nhiệt nhanh
6.5. Chế tạo lớp điện môi bằng xử lý nhiệt nhanh
6.6. Tạo tiếp xúc bằng hợp chất của silic và kim loại 
Chương 7. Khắc và ăn mòn
7.1. Quang khắc
7.2. Các phương pháp khắc thế hệ sau
7.3. Tẩm thực (ăn mòn) hoá ướt
7.4. Tẩm thực khô
7.5. Các hệ thống vi cơ điện tử (MEMS)
Chương 8. Các phương pháp vật lý tạo màng mỏng: bay hơi phún xạ
8.1. Bay hơi chân không
8.2. Phún xạ (Sputtering) 
Chương 9. Kết tủa hoá học pha hơi (CVD)
9.1. Hệ CVD đơn giản để chế tạo màng silic
9.2. Cân bằng hoá vμ định luật tác dụng khối lượng
9.3. Dòng khí và lớp biên
9.4. Đánh giá hệ CVD đơn giản 
9.5. Chế tạo màng điện môi bằng CVD áp suất khí quyển (APCVD)
9.6. Chế tạo màng điện môi và bán dẫn bằng CVD áp suất thấp (LPCVD) 
9.7. Chế tạo màng điện môi bằng CVD có sự trợ giúp của plasma (PECVD)
9.8. CVD màng kim loại
Chương 10. Epitaxy
10.1. Làm sạch phiến vμ tẩy lớp oxide tự nhiên 
10.2. Nhiệt động học quá trình epitaxy pha hơi (VPE) 
10.3. Các phản ứng bề mặt
10.4. Pha tạp 
10.5. Khuyết tật trong lớp epitaxy 
10.6. Epitaxy GaAs 
10.7. Epitaxy không tương xứng và epitaxy lớp biến dạng 
10.8. Kết tủa hoá pha hơi từ hợp chất cơ kim (MOCVD)
10.9. Các kỹ thuật epitaxy pha hơi silic tiên tiến 
10.10. Công nghệ epitaxy chùm phân tử
Chương 11. Công nghệ CMOS
11.1. Các tính chất cơ bản của linh kiện kênh dài
11.2. Các công nghệ MOS truyền thống
11.3. Quy trình công nghệ MOS
11.4. Giảm thiểu kích thước linh kiện
11.5. Các bộ nhớ MOS
Chương 12. Công nghệ MESFET
12.1. Nguyên lý hoạt động của MESFET
12.2. Công nghệ chế tạo MESFET
Chương 13. Công nghệ lưỡng cực silic
13.1. Quy trình công nghệ lưỡng cực
13.2. Transistor lưỡng cực
13.3. Diode, điện trở và tụ điện